Встречайте нашего нового интеллектуального помощника на indite.dev! 
Исследователи Гонконгского университета разработали программируемую криогенную нейроморфную платформу на базе транзисторов из карбида кремния. Она имитирует импульсную активность нейронов при температурах до 10 мК.
В основе разработки — управляемое отрицательное дифференциальное сопротивление в SiC MOSFET-транзисторах. Эффект проявляется при охлаждении ниже 2 К и позволяет создавать энергоэффективные нейроморфные схемы, включая сенсорные, логические и интегрирующие нейроны.
Авторы рассматривают платформу как способ снизить тепловыделение и объем проводки в криогенных системах управления кубитами. Среди возможных применений — квантовая коррекция ошибок, управление кубитами в реальном времени и электроника для глубокого космоса.